ICS 31.080 CCS L 40/49 团体 标准 T/CASAS 027—2023 射频GaN HEMT 外延片二维电子气迁移率 非接触霍尔测量方法 Two—dimensional electron gas mobility of RF GaN HEMT epitaxial wafers—Non—contact Hall measurement method 版本： V01.00 2023-06-30发布 2023-07-01实施 第三代半导体产业技术创新战略联盟 发布 全国团体标准信息平台 T/CASAS 027—2023 I 目 次 前言 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .... III 引言 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .... IV 1 范围 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .. 1 2 规范性引用文件 ................................ ................................ ................................ ................................ .............. 1 3 术语和定义 ................................ ................................ ................................ ................................ ...................... 1 4 符号 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .. 1 5 测试原理 ................................ ................................ ................................ ................................ .......................... 2 6 精密度 ................................ ................................ ................................ ................................ .............................. 3 7 试验条件 ................................ ................................ ................................ ................................ .......................... 3 8 干扰因素 ................................ ................................ ................................ ................................ .......................... 3 9 仪器设备 ................................ ................................ ................................ ................................ .......................... 3 10 测试样品 ................................ ................................ ................................ ................................ ........................ 4 11 测试程序 ................................ ................................ ................................ ................................ ........................ 4 系统自校准 ................................ ................................ ................................ ................................ ............ 4 测试步骤 ................................ ................................ ................................ ................................ ................ 4 测试点位 ................................ ................................ ................................ ................................ ................ 4 12 试验报告 ................................ ................................ ................................ ................................ ........................ 5 附录 A （资料性） 测试报告示例 ................................ ................................ ................................ .................. 6 全国团体标准信息平台 T/CASAS 027—2023 III 前 言 本文件按照 GB/T 1.1 —2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由北京第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（ CASAS） 制定发布，版权归 CASAS 所有，未经 CASAS许可不得随意复制；其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经 CASAS允许；任何 单位或个人引用本文件的内容需指明本文件的标准号。 本文件起草单位： 中国科学院半导体研究所 、厦门市三安集成电路有限公司 、北京大学 、中兴通讯 股份有限公司 、中国电子科技集团公司第十三研究所 、LUVA SYTEM INC. 、苏州能讯高能半导体有限公 司、北京第三代 半导体产业 技术创新战略联盟。 本文件主要起草人： 魏学成、刘波亭、杨学林、刘建利、宋学峰、Roger Luo 、裴轶、徐瑞鹏。 全国团体标准信息平台 T/CASAS 027—2023 IV 引 言 随着5G移动通讯技术 的快速发展， 基于氮化镓 材料的功放模块 已广泛应用于 5G基站中用来提升系 统性能。氮化镓基 异质结构是 氮化镓高电子迁移率晶体管 的基本外延结构 ，在氮化镓 异质结界面因极化 而产生二维电子气 ，其迁移率是射频氮化镓器件 的核心指标项 ，决定着氮化镓器件的性能。 因此准确 测 试和真实反映射频氮化镓异质结构外延片的 二维